檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Graphene".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="化學氣相沉積"
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氮化鎵於矽基板上成長時,因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力,造成高密度差排缺陷,降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層,提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料,垂直膜…
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利用銅箔以化學氣相沉積的方法成長石墨烯,利用濕式轉移方式將石墨烯轉移至平面矽基板、金字塔結構矽基板以及矽奈米線基板上。在平面矽基板上轉移不同層數石墨烯場發射。量測不同層數石墨烯的功函數。石墨烯的邊緣…